作者：m.bitamt.cn 編輯：CFSBCN

中國廚房設(shè)備網(wǎng)訊   電磁爐灶特殊零件LM339集成電路簡介

LM339內(nèi)置四個翻轉(zhuǎn)電壓為6mV的電壓比較器,當(dāng)電壓比較器輸入端電壓正向時(+輸入端電壓高于-入輸端電壓), 置于LM339內(nèi)部控制輸出端的三極管截止, 此時輸出端相當(dāng)于開路; 當(dāng)電壓比較器輸入端電壓反向時(-輸入端電壓高于+輸入端電壓), 置于LM339內(nèi)部控制輸出端的三極管導(dǎo)通, 將比較器外部接入輸出端的電壓拉低,此時輸出端為0V。  

電磁爐灶特殊零件絕緣柵雙極晶體管IGBT簡介

絕緣柵雙極晶體管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)簡稱IGBT,是一種集BJT的大電流密度和MOSFET等電壓激勵場控型器件優(yōu)點于一體的高壓、高速大功率器件。

目前有用不同材料及工藝制作的IGBT, 但它們均可被看作是一個MOSFET輸入跟隨一個雙極型晶體管放大的復(fù)合結(jié)構(gòu)。

IGBT有三個電極(見上圖), 分別稱為柵極G(也叫控制極或門極) 、集電極C(亦稱漏極) 及發(fā)射極E(也稱源極) 。   

從IGBT的下述特點中可看出, 它克服了功率MOSFET的一個致命缺陷, 就是于高壓大電流工作時, 導(dǎo)通電阻大, 器件發(fā)熱嚴(yán)重, 輸出效率下降。

IGBT的特點:

1.電流密度大, 是MOSFET的數(shù)十倍。
2.輸入阻抗高, 柵驅(qū)動功率極小, 驅(qū)動電路簡單。
3.低導(dǎo)通電阻。在給定芯片尺寸和BVceo下, 其導(dǎo)通電阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。
4.擊穿電壓高, 安全工作區(qū)大, 在瞬態(tài)功率較高時不會受損壞。
5.開關(guān)速度快, 關(guān)斷時間短,耐壓1kV~1.8kV的約1.2us、600V級的約0.2us, 約為GTR的10%,接近于功率MOSFET, 開關(guān)頻率直達(dá)100KHz, 開關(guān)損耗僅為GTR的30%。    

IGBT將場控型器件的優(yōu)點與GTR的大電流低導(dǎo)通電阻特性集于一體, 是極佳的高速高壓半導(dǎo)體功率器件。

目前458系列因應(yīng)不同機(jī)種采了不同規(guī)格的IGBT,它們的參數(shù)如下:

(1) SGW25N120----西門子公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時46A,100℃時25A,內(nèi)部不帶阻尼二極管,所以應(yīng)用時須配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)使用,該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)后可代用SKW25N120。

(2) SKW25N120----西門子公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時46A,100℃時25A,內(nèi)部帶阻尼二極管,該IGBT可代用SGW25N120,代用時將原配套SGW25N120的D11快速恢復(fù)二極管拆除不裝

(3) GT40Q321----東芝公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時42A,100℃時23A, 內(nèi)部帶阻尼二極管, 該IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120時請將原配套該IGBT的D11快速恢復(fù)二極管拆除不裝。

(4) GT40T101----東芝公司出品,耐壓1500V,電流容量25℃時80A,100℃時40A,內(nèi)部不帶阻尼二極管,所以應(yīng)用時須配套15A/1500V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)使用,該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)后可代用GT40T301。

(5) GT40T301----東芝公司出品,耐壓1500V,電流容量25℃時80A,100℃時40A, 內(nèi)部帶阻尼二極管, 該IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、 GT40T101, 代用SGW25N120和GT40T101時請將原配套該IGBT的D11快速恢復(fù)二極管拆除不裝。

(6) GT60M303 ----東芝公司出品,耐壓900V,電流容量25℃時120A,100℃時60A, 內(nèi)部帶阻尼二極管。